Личный кабинет
Подробное описание документа
Зайнабидинов С. З.
Механизм токопрохождения в полупроводниковых p–Si–n–(Si2) 1–x(CdS) x структурах / Зайнабидинов С. З., Мадаминов Х. М. - URL: https://vestniken.bmstu.ru/catalog/phys/condph/934.html (дата обращения: 11.03.2026). - DOI 10.18698/1812-3368-2020-4-58-72 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2020. - № 4. -
Скачать документ
Показана возможность получения монокристаллического твердого раствора замещения p–Si–n–(Si2)1–x(CdS)x (0 ≤ x ≤ 0,01) на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из Sn–Si–CdS раствора–расплава в атмосфере водорода, очищенного палладием. Получены наиболее совершенные эпитаксиальные слои с зеркальными поверхностями и с наилучшими параметрами при следующих условиях технологического режима: температура начала кристаллизации 1100 °С; скорость принудительного охлаждения 1 град/мин. Толщина выращенных эпитаксиальных пленок 20 мкм, n-тип проводимости с удельным сопротивлением 0,018 Ом·см. Результаты исследования механизмов переноса тока в p–Si–n–(Si2)1–x(CdS)x структурах при комнатной температуре показывают, что вольт-амперная характеристика в прямом направлении состоит из нескольких характерных участков, а процессы токопрохождения определяются различными механизмами. При малых плотностях тока его рост объясняется увеличением концентрации инжектированных носителей за счет простых локальных центров, а при больших — рекомбинационными процессами, протекающими в сложных комплексах, внутри которых происходит электронный обмен. Именно этот факт показывает, что в рассматриваемой структуре с увеличением приложенного напряжения более ярко проявляются выпрямляющие свойства. Определено, что исследуемые в работе эпитаксиальные пленки твердых растворов (Si2)1–x(CdS)x (0 ≤ х ≤ 0,01) являются перспективными материалами для диодов, выпрямляющих высокие токи Работа выполнена в рамках проекта (ОТ-Ф2-68) Государственной научно-технической программы РУз
621.315.592.3 Легированные полупроводники
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 4. - 2020.
