Личный кабинет
Подробное описание документа
Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования металлооксидных пленок ZnO(S), полученных методом ультразвукового спрей-пиролиза / Зайнабидинов С. З., Юлдашев Ш. У., Бобоев А. Й., Юнусалиев Н. Ю. - URL: https://vestniken.bmstu.ru/catalog/phys/condph/1131.html (дата обращения: 11.03.2026). - DOI 10.18698/1812-3368-2024-1-78-92 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2024. - № 1. -
Скачать документ
Получены образцы тонких пленок ZnO(S) толщиной примерно 400 нм, напыленных на кремниевую подложку методом ультразвукового спрей-пиролиза. Пленки имеют кристаллографическую ориентацию (001) со значениями параметров решетки а = b = 0,3265 нм и c = 0,5212 нм. Нанокристаллиты ZnO1–хSх на поверхности пленки имеют характерные размеры в пределах 50...200 нм. Экспериментально определен параметр решетки нанокристаллитов: 0,7598 нм. Установлено уменьшение параметров решетки пленки ZnO и геометрических размеров нанокристаллитов на поверхности пленки под влиянием γ-облучения. Определено, что кристаллическое строение нанокристаллитов соответствует кубической решетке и принадлежит пространственной группе F43m с параметром решетки 0,7692 нм. По данным сканирующей электронной микроскопии, диаметр нанокристаллитов составляет 50...200 нм, нанокристаллиты растут перпендикулярно к подложке вдоль оси z с кристаллографической ориентацией (111). Установлено, что влияние γ-облучения дозой 5 · 106 рад позволяет уменьшить размеры нанокристаллитов и приводит к изменению их плотности и геометрической формы Работа выполнена при поддержке Министерства инновационного развития Республики Узбекистан (грант № FZ-292154210) Просьба ссылаться на эту статью следующим образом: Зайнабидинов С.З., Юлдашев Ш.У., Бобоев А.Й. и др. Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования металлооксидных пленок ZnO(S), полученных методом ультразвукового спрей-пиролиза. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки, 2024, № 1 (112), с. 78–92. EDN: GFUKHQ
621.315.592.3 Легированные полупроводники
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 1. - 2024.
