Личный кабинет
Подробное описание документа
Перспективные полупроводниковые лазеры с мощностью излучения до 200 мВт для межспутниковых оптических линий связи / Крюкова И. В., Мармалюк А. А., Матвеенко Е. В., Поповичев В. В., Симаков В. А., Чельный А. А., Чуковский Н. Н. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2002. - № 3. -
Выполнены комплексные исследования характеристик излучения нового поколения мощных лазерных излучателей на основе гетероструктур с квантоворазмерными слоями в непрерывном и импульсном режимах: энергетических, пространственных, спектральных и модуляционных. Последовательное развитие МОС-гидридной технологии выращивания гетероструктур позволило более чем в три раза (до 200 мВт) увеличить мощность излучения одномодовых лазерных излучателей на основе GaAlAs в диапазоне длин волн 0,8-0,85 мкм и InGaAs с длиной волны 0,98 мкм. Исследование параметров излучения в импульсно-кодовом режиме вплоть до частот модуляции 155 МГц показало, что разработанные лазеры можно использовать в передатчике информационного канала, работающем со скоростью 100 Мбит/с в аппаратуре межспутниковых оптических линий связи.
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 3. - 2002.
