Личный кабинет
Подробное описание документа
Иовдальский В. А.
Перспективы применения составных двухъярусных полевых транзисторов с барьером Шоттки в гибридной интегральной схеме усилителей мощности СВЧ-диапазона / Иовдальский В. А., Ганюшкина Н. В., Панас А. И. - DOI 10.18698/0236-3933-2023-2-20-38 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2023. - № 2. -
Скачать документ
Показаны актуальность и перспективность применения в разработанной ранее гибридной интегральной схеме составных двухъярусных полевых транзисторов с барьером Шоттки на основе кристаллов GaN (нитрида галлия), а также возможности увеличения до 200 Вт рассеиваемой мощности при использовании одной пары кристаллов и до 250 Вт при использовании двух пар кристаллов. Приведены результаты тепловых расчетов, доказывающие перспективность применения предложенной конструкции гибридной интегральной схемы. Выполнено сравнение кристаллов двух видов — GaAs (арсенид галлия) и GaN. Эффективность и перспектива применения кристаллов GaN и составных двухъярусных полевых транзисторов с барьером Шоттки в гибридной интегральной схеме усилителей мощности СВЧ-диапазона позволяет существенно улучшить их массогабаритные характеристики. Применение полевых транзисторов с барьером Шоттки на основе кристаллов GaN мощностью до 100 Вт и более на время решило проблему увеличения мощности и улучшения массогабаритных характеристик усилителей СВЧ-диапазона. При сравнении максимальных температур кристалла транзистора при выделяющейся мощности 1 Вт выявлено, что повышение теплопроводности дополнительного теплоотвода способствует перемещению максимума температур с верхних кристаллов на нижние. Применение кристаллов GaN повышает уровень мощности усилителей во всем диапазоне теплопроводности материалов дополнительного теплоотвода (500...2000 Вт/(м · K)). Показано, что отношение мощностей с увеличением теплопроводности дополнительного теплоотвода примерно равно двум. Таким образом, доказана перспективность применения предлагаемой конструкции гибридной интегральной схемы усилителей мощности Просьба ссылаться на эту статью следующим образом: Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Панас А.И. Перспективы применения составных двухъярусных полевых транзисторов с барьером Шоттки в гибридной интегральной схеме усилителей мощности СВЧ-диапазона. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение, 2023, № 2 (143), с. 20–38. DOI: https://doi.org/10.18698/0236-3933-2023-2-20-38
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 2. - 2023.
