Подробное описание документа
Моделирование термомеханических напряжений в структуре слоев перераспределения конструкции микросистемы со встроенным кристаллом / Кочергин М. Д., Соловьев Ил. А., Вертянов Д. В., Тимошенков С. П. - DOI 10.18698/0236-3933-2023-4-24-42 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2023. - № 4. -
Рассмотрены проблемы термомеханических напряжений, возникающих в слоях перераспределения при внутреннем монтаже кристаллов в микросборках на основе эпоксидного монолитизирующего компаунда и полиимидной микроструктуры. Описаны конструкторские и технологические ограничения слоев перераспределения в микросборках со встроенными кристаллами. Выполнены расчет и анализ термомеханических напряжений в структуре слоев перераспределения с помощью метода конечных элементов. По результатам расчета определена зависимость термомеханических напряжений в слоях перераспределения от длины проводящих дорожек, угла их сгиба и толщины проводящего и диэлектрического материалов. В моделировании также учтено влияние перехода диэлектрика и проводящих дорожек с кремния на эпоксидный монолитизирующий компаунд. Исследованы термомеханические напряжения в зависимости от расстояния между параллельными дорожками и их длины. Приведен расчет методом конечных элементов двух вариантов конструкции топологии микросистемы со встроенным кристаллом на базе ПЛИС, которые отличаются сглаживанием углов сгиба проводящих дорожек, мест стыка дорожек и контактных площадок, а также толщиной диэлектрического и проводящего слоев. Выполнен сравнительный анализ результатов расчетов напряжений двух вариантов конструкции топологии микросистемы со встроенным кристаллом ПЛИС Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (грант № 23-29-00964) Просьба ссылаться на эту статью следующим образом: Кочергин М.Д., Соловьев И.А., Вертянов Д.В. и др. Моделирование термомеханических напряжений в структуре слоев перераспределения конструкции микросистемы со встроенным кристаллом. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение, 2023, № 4 (145), с. 24–42. DOI: https://doi.org/10.18698/0236-3933-2023-4-24-42
