Подробное описание документа
Влияние параметров лазерного излучения на вероятность переизлучения однофотонного лавинного фотодиода / Сидельникова А. С., Бондарь К. Д., Бугай К. Е., Булавкин Д. С., Вахрушева В. М., Лохматов Р. Ю., Мелконян Д. М., Сущев И. С., Зызыкин А. П., Дворецкий Д. А. // ХОЛОЭКСПО 2025 : тезисы докладов 22-ой Международной конференции по голографии и прикладным оптическим технологиям, Уфа, 8-12 сентября 2025 года / Общества ограниченной ответственности "Холоэкспо наука и практика". - М., 2025. -
Работа посвящена исследованию влияния параметров стимулирующего лазерного излучения на вероятность переизлучения однофотонных лавинных фотодиодов (ОЛФД) в системах квантового распределения ключей (КРК) и связанной с этим эффектом атаки “backflash” на систему КРК. Было экспериментально подтверждено, что вероятность переизлучения в пределах погрешностей не зависит от длины волны стимулирующего лазерного излучения в спектральном диапазоне 1100-1800 нм. Также была получена нижняя оценка длины секретного ключа в случае проведения нарушителем коллективной атаки на информационные состояния и состояния в побочном канале переизлучения.
