Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

Александрова О. А., Лебедев А. О., Мараева Е. В.
   Введение в технологию материалов микроэлектроники : учебник / Александрова О. А., Лебедев А. О., Мараева Е. В. - СПб. : Лань, 2025. - (Высшее образование). - ISBN 978-5-507-45478-5.
   Ч. 3 : Эпитаксиальный рост. - 2025. - 212 с. : ил. - Библиогр.: с. 207-210. - ISBN 978-5-507-45481-5.

Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространённых видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации.
Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям, «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника».
Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.

621.3.049.77 Микроэлектроника. Интегральные схемы
1 экз.