Подробное описание документа

Серов И. Е., Адарчин С. А.
   Влияние концентрации примеси в области кармана на электрофизические параметры измерительного усилителя / Серов И. Е., Адарчин С. А. // Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Региональной научно-технической конференции, Калуга, 15-17 апреля 2025 года : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - 2026. - Т. 1. - С. 166-169.

Описано влияние дозы при ионной имплантации примесей в полупроводниковую пластину при формировании микросхемы измерительного усилителя. Представлены зависимости между быстродействием готовой микросхемы и концентрацией примесных атомов в области кармана полевого p-канального транзистора. Улучшение этих параметров путем совершенствования технологии производства полупроводниковой пластины на этапах формирования структуры элементов полевого транзистора позволило двукратно повысить быстродействие всей микросхемы усилителя. Данные качественные изменения позволят в перспективе расширить область применения измерительных усилителей и повысить их надежность.
Ключевые слова: ионная имплантация, технология, динамические параметры, полевой транзистор, улучшение, исследование, примеси