Подробное описание документа

Статья

Радзышевская В. В., Андреев В. В.
Зависимость КМОП транзистора от энергии ионного легирования области стока и истока / Радзышевская В. В., Андреев В. В. // Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Региональной научно-технической конференции, Калуга, 15-17 апреля 2025 года : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - 2026. - Т. 1. - С. 177-180.

Аннотация

Рассмотрен процесс ионной имплантации кремниевых полупроводниковых пластин. Проанализировано влияние параметров ионного легирования на характеристики микросхем. Исследованы электрические параметры интегральных микросхем, зависящие от правильности проведения и контроля процесса ионного легирования. Предложен метод корректировки процесса ионного легирования для устранения дефектов, возникающих во время имплантации примеси и сохранения необходимых параметров микросхемы в допустимом диапазоне значений.
Ключевые слова: ионная имплантация, дефекты, электрофизические параметры, энергия ионного легирования, пороговое напряжение

Авторы МГТУ

Андреев Владимир Викторович

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 177-180

Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Региональной научно-технической конференции, Калуга, 15-17 апреля 2025 года : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2026. - ISBN 978-5-7038-6701-3.
Т. 1. - 2026. - 395 с. : ил. - Библиогр. в конце статей. - ISBN 978-5-7038-6706-8.

подробнее