Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Статья

   Сильнополевая инжекционная модификация наноразмерных диэлектрических пленок в МДП-приборах / Андреев В. В., Столяров А. А., Ахмелкин Д. М., Романов А. В. - DOI 10.18698/2308-6033-2013-6-802 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2013. - № 6. - П.Н. 39.

Скачать документ
Полнотекстовый документ
DOI 10.18698/2308-6033-2013-6-802
engjournal.bmstu.ru/catalog/nano/hidden/802.html

Проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур с многослойным подзатворным диэлектриком наноразмерной толщины на основе термической пленки SiO2, легированной фосфором, при сильнополевой инжекционной модификации, проводимой при различных режимах инжекции. Выполнена оценка временной и температурной стабильности зарядового состояния диэлектрической пленки после модификации. Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в пленке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в МДП-структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов, может использоваться для модификации электрофизических характеристик приборов с такой структурой. Предложен способ модификации электрофизических характеристик МДП-структур путем сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик в режиме протекания постоянного инжекционного тока. Способ позволяет непосредственно во время модификации контролировать изменение параметров МДП-структуры. Показано, что для получения приборов с высокой термополевой стабильностью после модификации зарядового состояния инжекцией электронов их необходимо отжигать при температурах около 200 °C.

Статья опубликована в следующих изданиях

п.н. 39
   Журнал
   Инженерный журнал: наука и инновации. - ISSN 2308-6033 (web).
   № 6. - 2013.