Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Статья

Косушкин В. Г., Горбунов А. К.
   Модель образования термостабильных дефектных центров при облучении арсенида галлия нейтронами / Косушкин В. Г., Горбунов А. К. - DOI 10.18698/2308-6033-2013-6-806 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2013. - № 6. - П.Н. 43.

Скачать документ
Полнотекстовый документ
DOI 10.18698/2308-6033-2013-6-806
engjournal.bmstu.ru/catalog/nano/hidden/806.html

Предложена модель трансформации дефектов в термостабильные дефектные центры, обладающие донорными свойствами в арсениде галлия, облученном нейтронами. Природа этих центров определяется взаимодействием искусственных радиационных дефектов с примесями и равновесными дефектами кристалла. Показано, что облучение нейтронами при температуре выше комнатной можно использовать не только для изучения природы и закономерностей дефектообразования, но и как способ направленного изменения свойств кристаллов.

Статья опубликована в следующих изданиях

п.н. 43
   Журнал
   Инженерный журнал: наука и инновации. - ISSN 2308-6033 (web).
   № 6. - 2013.