Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Статья в журнале

Андреев В. В., Столяров А. А., Соловьев И. В.
   Установка измерения поглощенной дозы радиационного излучения на основе транзисторных сенсоров со структурой металл — диэлектрик — полупроводник / Андреев В. В., Столяров А. А., Соловьев И. В. - DOI 10.18698/2308-6033-2014-1-1197 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2014. - № 1. - П.Н. 27.

Скачать документ
Полнотекстовый документ
DOI 10.18698/2308-6033-2014-1-1197
engjournal.bmstu.ru/catalog/pribor/hidden/1197.html

Представлено описание установки измерения поглощенной дозы радиационного излучения. Показана возможность использования полевых транзисторов со структурой металл — диэлектрик — полупроводник в качестве компактных сенсоров радиации. Приведено описание метода определения поглощенной дозы с использованием сдвига порогового напряжения в результате облучения. Рассмотрены методы повышения температурной стабильности измеряемых характеристик.

Статья опубликована в следующих изданиях

п.н. 27
   Журнал
   Инженерный журнал: наука и инновации. - ISSN 2308-6033 (web).
   № 1. - 2014.