Личный кабинет
Подробное описание документа
Способ выращивания кристаллов в условиях управляемого градиента температуры в расплаве / Сидоров В. С., Стрелов В. И., Безбах И. Ж., Крицкий О. В., Радченко И. Н. - DOI 10.18698/2308-6033-2014-8-1264 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2014. - № 8. -
Скачать документ
Разработан способ выращивания кристаллов для метода направленной кристаллизации с помощью перемещения осевого температурного поля без перемещения образца или нагревателя. Управление осевым тепловым потоком, обеспечивающим поддержание постоянной скорости кристаллизации, осуществляется с помощью двух нагревателей по данным расположенных на оси термопар над и под кристаллом. Управление всеми параметрами процесса кристаллизации в режиме реального времени осуществляется с помощью разработанного универсального компьютерного интерфейса. Интерфейс отображает температуру на нагревателях и образце, скорость ее изменения на всех этапах процесса роста, управляющие коэффициенты, амплитуду, частоту и спектр дискретного преобразования Фурье подводимых механических возмущений (ускорений), угол отклонения оси роста кристалла от направления вектора гравитации. Установка позволяет проводить эксперименты по физическому моделированию процессов тепломассопереноса при выращивании полупроводниковых кристаллов.
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 8. - 2014.
Похожие издания
