Подробное описание документа

   Распределение неосновных носителей заряда после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводниковом материале с дефектами на поверхности / Калманович В. В., Степович М. А., Серегина Е. В., Горбунов А. К. - DOI 10.18698/2308-6033-2015-1-1349 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2015. - № 1. - П.Н. 6.

Скачать документ

Полнотекстовый документ

DOI 10.18698/2308-6033-2015-1-1349

https://doi.org/10.18698/2308-6033-2015-…

engjournal.bmstu.ru/catalog/mathmodel/material/1349.html

https://engjournal.bmstu.ru/catalog/math…

Методами математического моделирования рассмотрена задача диффузии неосновных носителей заряда (ННЗ), генерированных в полупроводнике широким электронным пучком. Изучено влияние дефектов на поверхности полупроводника на распределение ННЗ после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводнике [1]. Расчеты проведены для различных материалов полупроводниковой электроники.