Личный кабинет
Подробное описание документа
Получение заданных электрофизических характеристик слоев In0, 01Ga0, 99As: (Zn и Si) солнечных элементов в процессе эпитаксии из газовой фазы / Лебедев А. А., Смирнов А. А., Наумова А. А., Вагапова Н. Т., Жалнин Б. В. - DOI 10.18698/2308-6033-2020-7-2001 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2020. - № 7. -
Скачать документ
Приведены результаты исследований проводимости и концентрации основных носителей заряда слоев In0,01Ga0,99As среднего каскада и других структурных частей солнечного элемента InGaP / InGaAs / Ge космического назначения в зависимости от типа и уровня легирования, задаваемого в процессе эпитаксиального роста из газовой фазы варьированием параметров подачи источников примесей Si и Zn. Исследования выполнены методами рентгеновской дифрактометрии, бесконтактного измерения проводимости, электрохимической профилометрией, Ван дер Пау. Подтверждена линейная зависимость концентрации основных носителей заряда в слое от доли легирующего прекурсора в газовой смеси. Определены коэффициенты пропорциональности для кремния и дисилана в качестве его прекурсора, для цинка и его прекурсора диметилцинка. Показаны результаты исследований на равномерность распределения легирующей примеси, выдвинуты и обсуждены предположения о влиянии градиента температурного поля и напряженного состояния в слое и подложке.
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 7. - 2020.
