Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Статья в журнале

Анциферов Д. А., Онуфриев В. В., Онуфриева Е. В.
   Исследование зависимости электрической мощности высоковольтного плазменного термоэмиссионного диода от теплофизических параметров итипа рабочего тела / Анциферов Д. А., Онуфриев В. В., Онуфриева Е. В. - DOI 10.18698/2308-6033-2022-9-2210 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2022. - № 9. - П.Н. 4.

Скачать документ
Полнотекстовый документ
DOI 10.18698/2308-6033-2022-9-2210
engjournal.bmstu.ru/catalog/arse/teje/2210.html

Разработка высокотемпературных систем преобразования тока на основе приборов плазменной электроэнергетики, таких, например, как сеточные ключевые элементы и высоковольтные плазменные термоэмиссионные диоды (ВПТД) является актуальной в связи с разработкой мощных ядерных энергодвигательных установок космических аппаратов. Представлены результаты исследований зависимости удельной электрической мощности ВПТД от теплофизических параметров наполнителя межэлектродного зазора — его температуры и давления. Показана зависимость мощности ВПТД от материалов, применяемых для изготовления электродов. Приведены зависимости удельной электрической мощности ВПТД как функции температуры (анода и эмиттера) и давления паров цезия и бинарной смеси. Показана целесообразность применения бинарного наполнения ВПТД с вольфрамовым эмиттером для увеличения его удельной электрической мощности.

Статья опубликована в следующих изданиях

п.н. 4
   Журнал
   Инженерный журнал: наука и инновации. - ISSN 2308-6033 (web).
   № 9. - 2022.