Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Статья

Анциферов Д. А., Онуфриев В. В., Онуфриева Е. В.
   Исследование зависимости электрической мощности высоковольтного плазменного термоэмиссионного диода от теплофизических параметров итипа рабочего тела / Анциферов Д. А., Онуфриев В. В., Онуфриева Е. В. - DOI 10.18698/2308-6033-2022-9-2210 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2022. - № 9. - П.Н. 4.

Скачать документ
Полнотекстовый документ
DOI 10.18698/2308-6033-2022-9-2210
engjournal.bmstu.ru/catalog/arse/teje/2210.html

Разработка высокотемпературных систем преобразования тока на основе приборов плазменной электроэнергетики, таких, например, как сеточные ключевые элементы и высоковольтные плазменные термоэмиссионные диоды (ВПТД) является актуальной в связи с разработкой мощных ядерных энергодвигательных установок космических аппаратов. Представлены результаты исследований зависимости удельной электрической мощности ВПТД от теплофизических параметров наполнителя межэлектродного зазора — его температуры и давления. Показана зависимость мощности ВПТД от материалов, применяемых для изготовления электродов. Приведены зависимости удельной электрической мощности ВПТД как функции температуры (анода и эмиттера) и давления паров цезия и бинарной смеси. Показана целесообразность применения бинарного наполнения ВПТД с вольфрамовым эмиттером для увеличения его удельной электрической мощности.

Статья опубликована в следующих изданиях

п.н. 4
   Журнал
   Инженерный журнал: наука и инновации. - ISSN 2308-6033 (web).
   № 9. - 2022.