Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Статья в журнале

   Рентгенодифракционное исследование эпитаксиальных пленок (Ge2) 1 - x - y(ZnSe) x(GaAs1 - δBiδ) y, выращенных на кремниевых подложках / Зайнабидинов С. З., Бобоев А. Й., Юнусалиев Н. Ю., Каримбердиев У. Р., Одилов Ш. И. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2025. - № 6. - С. 60-75.

Скачать документ
Полнотекстовый документ
vestniken.bmstu.ru/catalog/phys/condph/1223.html

Представлены результаты рентгеноструктурного исследования эпитаксиальных пленок (Ge2)1 - x - y(ZnSe)x(GaAs1 - δBiδ)y, выращенных методом жидкостной эпитаксии на кремниевых подложках с кристаллографической ориентацией (111). Выращенные эпитаксиальные пленки представляют собой твердые растворы (Ge2)1 - y(ZnSe)x(GaAs1 - δBiδ)y с постепенно изменяющимся молярным составом (0 ≤ x ≤ 0,72 и 0 ≤ y ≤ 0,46), в которых осуществляется взаимное замещение компонентов. Происходит формирование слоя, обогащенного широкозонными соединениями ZnSe и GaAs1 - δBiδ, в переходной области между подложкой и поверхностными слоями пленки. Установлено, что полученная эпитаксиальная пленка представляет собой монокристалл с кристаллографической ориентацией (111), состоящий из элементарных ячеек алмазоподобной структуры с параметром решетки aexp = 0,5658 нм. Результаты анализа показали, что нанокристаллиты соединений GaAs1 - δBiδ, самопроизвольно сформировавшиеся в поверхностных областях эпитаксиальных слоев, имеют кубическую элементарную ячейку с параметром решетки 5,9978 нм и принадлежат фазовой группе P43m. Установлено следующее: размеры нанокристаллитов (33,9; 34,5; 34,9 нм) и их среднее значение (∼ 34 нм) свидетельствуют о том, что нанокристаллиты имеют округлую геометрическую форму и формируются преимущественно одинаковых размеров Работа выполнена при поддержке Министерства инновационного развития Республики Узбекистан (грант FZ-292154210) Просьба ссылаться на эту статью следующим образом: Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й., Юнусалиев Н.Ю. и др. Рентгенодифракционное исследование эпитаксиальных пленок(Ge2)1 - x - y(ZnSe)x(GaAs1 - δBiδ)y, выращенных на кремниевых подложках. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки, 2025, № 6 (123), с. 60–75. EDN: XUGAZS

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 60-75
   Журнал
   Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - ISSN 1812-3368 (print). - ISSN 2686-8768 (web).
   № 6. - 2025.