Подробное описание документа

Титушкин А. В.
   Создание гетероструктуры gaalas/gaas методом молекулярно-лучевой эпитаксии с применением косвенного контроля скорости роста покрытия / Титушкин А. В. - DOI 10.18698/2541-8009-2017-10-182 // Политехнический молодежный журнал МГТУ им. Н. Э. Баумана. - 2017. - № 10. - П.Н. 12.

Скачать документ

Полнотекстовый документ

DOI 10.18698/2541-8009-2017-10-182

https://doi.org/10.18698/2541-8009-2017-…

ptsj.bmstu.ru/catalog/iemim/imm/182.html

https://ptsj.bmstu.ru/catalog/iemim/imm/…

Показано, что гетероструктура GaAlAs/GaAs, созданная с использованием метода контроля скорости роста покрытия с помощью поверочных зависимостей потока осаждаемого материала от температуры в эффузионных ячейках, обладает выраженными полупроводниковыми свойствами и имеет на границе гетероперехода двумерный электронный газ, что свидетельствует о высоком качестве изготовленного образца. Изучены возможности применения данного метода.