Личный кабинет
Подробное описание документа
Парагульгов А. М.
Полевые транзисторы / Парагульгов А. М., Глинская Е. В. // Политехнический молодежный журнал МГТУ им. Н. Э. Баумана. - 2025. - № 4. -
Скачать документ
Статья посвящена полевым транзисторам — ключевым элементам современной полупроводниковой электроники, ток в которых регулируется посредством электрического поля. Рассмотрены основные принципы функционирования транзисторов с p-n-переходом, их конструктивные особенности, вольт-амперные характеристики и варианты схем включения. Особое внимание уделено достоинствам этих устройств, включая высокое входное сопротивление и превосходные частотные показатели. Приведены примеры их применения в инженерной практике, такие как аналоговые схемы, усилители с фотодиодами и схемы с изменяемым коэффициентом усиления. В работе подчеркнута важность полевых транзисторов в современной электронике и отмечены их преимущества над биполярными транзисторами.
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 4. - 2025.
