Подробное описание документа

Абрамов И. И., Новик Е. Г.
   Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов : монография / Абрамов И. И., Новик Е. Г. ; Белорусский государственный ун-т информатики и радиоэлектроники. - Минск : Бестпринт, 2000. - 163 с. : ил. - Библиогр.: с. 152-161. - ISBN 985-6227-92-5.

Аннотация

Приведена классификация одноэлектронных структур наноэлектроники. Описана методика оценки предельных характеристик одноэлектронных транзисторов. Разработана двумерная численная модель металлических одноэлектронных транзисторов, включающая уравнение Пуассона. Предложенные и известные модели и методики положены в основу разработанного комплекса программ моделирования одноэлектронных структур SET- NANODЕV, который предназначен для проведения исследований характеристик одноэлектронных приборов и структур. С использованием комплекса программ проанализированы металлические одноэлектронные транзисторы на различных соединениях металлов: А1/А10х, Al/Si02, Au/A120 3, Nb/Al20 3, Ti/TiOx, Cr/Cr20 3, Nb/NbOx.
Монография предназначена для специалистов в области микроэлектроники и наноэлектроники, а также может быть полезна преподавателям, аспирантам и студентам старших курсов соответствующих специальностей.

УДК

621.382.3 Полупроводниковые триоды (транзисторы)

Предметные рубрики

• Транзисторы - Математическое моделирование

Общее кол-во в фондах

1 экз.

1. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
2. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313