Подробное описание документа

Козловский В. В.
   Модифицирование полупроводников пучками протонов / Козловский В. В. ; отв. ред. Малкович Р. Ш. - СПб. : Наука, 2003. - 267 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - ISBN 5-02-024988-2.

Скачать оглавление

В монографии впервые дано систематическое изложение современного состояния исследований модифицирования полупроводников пучками протонов. Выполнен анализ общих феноменологических закономерностей взаимодействия легких ионов с монокристаллическими полупроводниками. Проведено концептуальное обобщение результатов фундаментальных исследований, полученных в течение последнего времени по таким основным направлениям радиационного модифицирования полупроводников пучками протонов, как трансмутационное ядерное легирование, радиационно-стимулированная диффузия, легирование радиационными дефектами и формирование наноразмерных пористых слоев.
Книга предназначена для научных работников в области физики взаимодействия излучения с веществом и радиационной физики твердого тела, а также для практиков в области электронного материаловедения и технологии полупровод- никовых приборов.