Подробное описание документа

Логинов Ю. Ю., Браун П. Д., Дьюроуз К.
   Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6 / Логинов Ю. Ю., Браун П. Д., Дьюроуз К. - М. : Логос, 2003. - 302 с. : ил. - Библиогр.: с. 282-302. - ISBN 5-94010-214-X.

Читать онлайн Аннотация

Рассматриваются вопросы дефектообразования в легированных и нелигированных примесями монокристаллах полупроводников А2В6 и кремния при термообработках и облучении ионами и электронами с под- и надпороговыми энергиями. Обсуждаются особенности формирования структурных дефектов в эпитаксиальных пленках и сверхструктурах полупроводников А2В6, выращенных методами металлорганической парофазовой и молекулярно-пучковой эпитаксии.
В основе книги лежат результаты исследований, выполненных авторами в Красноярском государственном университете (Россия), Кембриджском и Дарлемском университетах (Великобритания).
Для специалистов в области физики полупроводников. Может быть полезна аспирантам и студентам вузов, обучающимся по соответствующим специальностям и направлениям.

УДК

537.311.322:548.4

Предметные рубрики

• Полупроводники - Дефекты

Общее кол-во в фондах

4 экз.

1. Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
2. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
3. Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
4. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313