Подробное описание документа

Илюшин Г. Д.
   Моделирование процессов самоорганизации в кристаллообразующих системах / Илюшин Г. Д. ; РАН. Ин-т кристаллографии им. А. В. Шубникова. - М. : Едиториал УРСС, 2003. - 356 с. : ил. - Библиогр.: с. 345-356. - ISBN 5-354-00155-2.

Аннотация

Рассматриваются физико-математические основы моделирования процессов кристаллизации, методические аспекты и конкретные приложения. Построена универсальная, геометрико-топологическая модель возникновения, отбора и эволюции кластерных субструктурных единиц в неравновесных процессах кристаллообразования элементных и оксидных соединений. Модель использована для анализа механизма матричной сборки различного типа периодических структур: элементных соединений (включая фуллерены С60 и С70), оксидов металлов, германатов и силикатов. При переходе на более высокий уровень структурной самоорганизации системы моделирование трехмерной сетки связей в формирующихся кристаллических структурах проводится с использованием принципа максимального, комплементарного связывания предшественников.
Для специалистов в области кристаллографии, физики твердого тела, роста кристаллов и материаловедения, для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

УДК

548 Кристаллография

Предметные рубрики

• Кристаллы - Рост

Общее кол-во в фондах

3 экз.

1. Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
2. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
3. Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
4. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313