Личный кабинет
Подробное описание документа
Патент на изобретение № 2867968 Российская Федерация.
Способ изготовления фотонных интегральных схем со сверхмалыми потерями : № 2025138892 : заявл. 27.12.2025 : опубл. 11.08.2026 / Родионов И. А., Бузаверов К. А., Бабурин А. С. [и др.] ; патентообладатель МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Изобретение относится к области изготовления фотонных интегральных схем, для изготовления волноводных элементов со сверхмалыми потерями. Способ изготовления фотонных интегральных схем со сверхмалыми потерями содержит первичную обработку подложки из кремния со слоем диоксида кремния, осаждение слоя нитрида кремния на слой диоксида кремния, нанесение защитной маски на слой нитрида кремния с последующим экспонированием для формирования топологии волноводных элементов, травление слоя нитрида кремния через защитную маску для переноса топологии волноводных элементов в слой нитрида кремния, осаждение покровного слоя диоксида кремния на слой нитрида кремния для формирования диоксид кремния/нитрид кремния/диоксид кремния волноводных элементов. В качестве метода экспонирования используется электронно-лучевая литография через защитную маску с применением методик отведения заряда, в качестве метода травления используется плазменное травление с применением методик снижения шероховатости поверхности, в качестве метода осаждения покровного слоя из диоксида кремния используется химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении с применением методик повышения конформности, обработку лицевой и оборотной торцевых поверхностей диоксид кремния/нитрид кремния/диоксид кремния волноводных элементов проводят плазменным травлением. Технический результат – снижение трудоемкости и стоимости изготовления, повышение воспроизводимости размеров и качества изготовления, снижение потерь, снижение трудоемкости последующей оптоэлектронной сборки. 17 з.п. ф-лы, 13 ил.JPEG00000001.jpg154135
