Личный кабинет
Подробное описание документа
Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2016663663 Российская Федерация
Программа моделирования вольт-амперных характеристик AlGaAs резонансно-туннельных диодов с учетом воздействия дестабилизирующих факторов : № 2016661309 : заявл. 25.10.2016 : опубл. 10.01.2017 / Мешков С. А., Макеев М. О., Иванов Ю. А. [и др.] ; правообладатель МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Программа предназначена для расчета вольт-амперных характеристик AlGaAs резонансно-туннельных диодов с учетом воздействия дестабилизирующих факторов. Программа выполняет расчет вольт-амперных характеристик AlGaAs резонансно-туннельных диодов при воздействии на них высоких температур, ионизирующих излучений (электроны, протоны, γ-лучи), а также комплекса дестабилизирующих факторов (одновременное воздействие высоких температур и ионизирующих излучений). На первом этапе пользователь указывает параметры гетероструктуры AlGaAs резонансно-туннельного диода (толщины слоев и молярная доля алюминия). На втором этапе пользователь вводит параметры резонансно-туннельного диода (удельное контактное сопротивление после изготовления, площадь мезы), а также параметры дестабилизирующего воздействия (температура, доза ионизирующего излучения, вид ионизирующего излучения, время воздействия). Далее путем решения уравнения Цу-Есаки с использованием метода матриц переноса осуществляется расчет вольт-амперной ...
