Личный кабинет
Подробное описание документа
Патент на изобретение № 2646529 Российская Федерация, МПК H01L 29/772.
Гетероструктурный полевой транзистор на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики к ионизирующим излучениям : № 2016150471 : заявл. 21.12.2016 : опубл. 05.03.2018 / Парнес Я. М., Тихомиров В. Г., Гудков А. Г. [и др.] ; патентообладатель МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Изобретение относится к области радиотехники и электроники. В гетероструктурном полевом транзисторе на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики, включающем подложку из карбида кремния, зародышевый слой, буферный слой, барьерный слой на основе AlGaN, слой пассивации на основе нитрида кремния, электроды стока, затвора, истока, зародышевый слой выполнен на основе AlN, буферный слой выполнен на основе нитрида галлия, в барьерный слой на расстоянии 5-10 нм от канала транзистора вводится дополнительный слой AlGaN с дельта-легированием, толщиной 5 нм, со стороны буферного слоя, на расстоянии 10-15 нм от канала транзистора, вводится дополнительный слой GaN с легированием по всей глубине слоя. Изобретение позволяет упростить конструкцию транзистора, получить дополнительный источник электронов для двухмерного газа в канале полевого транзистора на основе гетероструктур типа AlGaN/GaN и расширить канал со стороны буферного слоя, что приводит к улучшению стабильности ...
