Личный кабинет
Подробное описание документа
Патент на изобретение № 2851672 Российская Федерация, МПК H10N 60/01.
Высококогерентный сверхпроводниковый кубит и способ его изготовления : № 2024139870 : заявл. 26.12.2024 : опубл. 26.11.2025 / Зикий Е. В., Соловьева А. А., Смирнов Н. С. [и др.] ; патентообладатель МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Изобретение относится к области устройств для квантовых вычислений на платформе сверхпроводниковых кубитов. Высококогерентный сверхпроводниковый кубит отличается от прототипа тем, что в подложке, во внутренней полости заземляющего фрагмента вокруг конденсатора и площадки выполнено углубление; туннельный джозефсоновский переход расположен над площадкой с зазором, края джозефсоновского перехода зафиксированы на первой части конденсатора и второй части конденсатора, туннельный джозефсоновский переход выполнен в виде двух фрагментов из алюминия и разделенных фрагментом из оксида алюминия толщиной менее 5 нм, края сверхпроводящего материала заземляющего фрагмента, частей конденсатора расположены на первой поверхности подложки, при этом параметры туннельного джозефсоновского перехода и конденсатора подобраны таким образом, чтобы эти элементы образовывали слабоангармонический осциллятор с резонансной частотой, находящейся в микроволновом диапазоне. Технический результат - увеличение времени когерентности ...
