Личный кабинет
Подробное описание документа
Бычков, А. А., Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур : монография / А. А. Бычков. — Москва : Русайнс, 2020. — 98 с. — ISBN 978-5-4365-6350-3.
В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур. Монография подготовлена в Южном федеральном университете. Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.
