Личный кабинет
Подробное описание документа
Бычков, А. А., Математические и компьютерные модели устойчивости упругого и вязкопластического деформирования : монография / А. А. Бычков. — Москва : Русайнс, 2024. — 189 с. — ISBN 978-5-466-07565-6.
Рассмотрены модели релаксации полупроводниковой пленки на подложке и однородного деформирования при растяжении стержня из термовязкопластичного материала. Учитывается изменение упругой энергии несоответствия за счет дислокационной перестройки и механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации в пленке и пластическое деформирование пористого стержня с учетом действия электрического тока и водородной хрупкости. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций.
