Личный кабинет
Подробное описание документа
Данилов В. С., Раков Ю. Н.
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие / Данилов В. С., Раков Ю. Н. - Новосибирский государственный технический университет, 2011. -
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
