Личный кабинет
Подробное описание документа
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами : монография / С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова, И. А. Прудаев. — Томск : ТГУ, 2016. — 258 с. — ISBN 978-5-94621-556-5.
Монография является обобщением результатов обширных исследований структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами, проводимых в Томском государственном университете, Сибирском физико-техническом институте и Научно-исследовательском институте полупроводниковых приборов. Изложены методы легирования GaAs примесями переходных металлов Fe, Cr, Mn и описаны его свойства. Большое внимание уделено анализу электронных процессов в сложных структурах на основе этого материала. Приведены характеристики целого ряда разработанных приборов: переключающих лавинных S-диодов, фотоприёмников УФ- и ИК-диапазонов, детекторов ионизирующих излучений, генераторов прямоугольных и мощных дельта-импульсов. Рассмотрены перспективы использования GaAs, легированного переходными металлами, в спинтронике. Для специалистов в области материаловедения полупроводников и полупроводниковой электроники, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
