Ячменев Александр Эдуардович

   Эффективная генерация ТГц излучения фотопроводящим источником с локализацией носителей заряда в высокоаспектных плазмонных электродах / Пономарев Д. С., Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Галиев Р. Р., Хабибуллин Р. А., Гончаров Ю. Г., Зайцев К. И. // Оптика и спектроскопия. - 2024. - Т. 132, № 1. - С. 105-110.

   Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации / Лаврухин Д. В., Галиев Р. Р., Павлов А. Ю., Ячменев А. Э., Майтама М. В., Глинский И. А., Хабибуллин Р. А., Гончаров Ю. Г., Зайцев К. И., Пономарев Д. С. // Оптика и спектроскопия. - 2019. - Т. 126, № 5. - С. 663-669.

   Перспективные материалы электронно-компонентной базы для создания детекторов и генераторов ТГц-диапазона частот (0, 5-5. 0 ТГц) / Галиев Р. Р., Ячменев А. Э., Бугаев А. С., Галиев Г. Б., Федоров Ю. В., Климов Е. А., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Мальцев П. П. // Известия РАН. Сер. "Физическая". - 2016. - Т. 80, № 4. - С. 522-524.

   Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GAAS / Хабибуллин Р. А., Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Пономарев Д. С., Бугаев А. С., Мальцев П. П. // Физика и техника полупроводников. - 2016. - Т. 50, № 2. - С. 185-190.

   Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si / Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Бугаев А. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Мальцев П. П. // Физика и техника полупроводников. - 2015. - Т. 49, № 7. - С. 932-935.