Подробное описание документа

   Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si / Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Бугаев А. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Мальцев П. П. // Физика и техника полупроводников. - 2015. - Т. 49, № 7. - С. 932-935.

УДК

621.315.59 Проводники с особо высоким сопротивлением. Полупроводники

Авторы МГТУ

• Лаврухин Денис Владимирович
• Ячменев Александр Эдуардович
• Бугаев Александр Степанович
• Хабибуллин Рустам Анварович
• Пономарев Дмитрий Сергеевич

Статья опубликована в следующих изданиях