Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Лаврухин Денис Владимирович

Статьи

   Статья
   Снижение шума фотопроводящей терагерцевой антенны-детектора на основе упругонапряженной сверхрешеточной inalas/ingaas-гетероструктуры / Лаврухин Д. В., Гончаров Ю. Г., Хабибуллин Р. А., Зайцев К. И., Пономарев Д. С. - DOI 10.61011/PJTF.2024.08.57513.19839 // Письма в "Журнал технической физики". - 2024. - Т. 50, № 7-8. - С. 13-15.
   Статья
   Эффективная генерация ТГц излучения фотопроводящим источником с локализацией носителей заряда в высокоаспектных плазмонных электродах / Пономарев Д. С., Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Галиев Р. Р., Хабибуллин Р. А., Гончаров Ю. Г., Зайцев К. И. // Оптика и спектроскопия. - 2024. - Т. 132, № 1. - С. 105-110.
   Статья
   Терагерцовый микроскоп на основе эффекта твердотельной иммерсии для визуализации биологических тканей / Черномырдин Н. В., Кучерявенко А. С., Римская Е. Н., Долганова И. Н., Желнов В. А., Каралкин П. А., Грядунова А. А., Решетов И. В., Лаврухин Д. В., Пономарев Д. С., Карасик В. Е., Зайцев К. И. // Оптика и спектроскопия. - 2019. - Т. 126, № 5. - С. 642-649.
   Статья
   Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации / Лаврухин Д. В., Галиев Р. Р., Павлов А. Ю., Ячменев А. Э., Майтама М. В., Глинский И. А., Хабибуллин Р. А., Гончаров Ю. Г., Зайцев К. И., Пономарев Д. С. // Оптика и спектроскопия. - 2019. - Т. 126, № 5. - С. 663-669.
   Статья
   Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GAAS / Хабибуллин Р. А., Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Пономарев Д. С., Бугаев А. С., Мальцев П. П. // Физика и техника полупроводников. - 2016. - Т. 50, № 2. - С. 185-190.
   Статья
   Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si / Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Бугаев А. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Мальцев П. П. // Физика и техника полупроводников. - 2015. - Т. 49, № 7. - С. 932-935.