61 запись
Дьяконов В. П.
Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение : [монография] / Дьяконов В. П. - М. : СОЛОН-Пресс, 2012. - 234 с. : ил. - (Компоненты и технологии). - Библиогр.:с. 225-227 . - ISBN 978-5-91359-004-6 .
Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение : [монография] / Дьяконов В. П. - М. : СОЛОН-Пресс, 2012. - 234 с. : ил. - (Компоненты и технологии). - Библиогр.:
Зарубежные транзисторы. Диоды. 1N... 60000... µ : справочник / ред. Заболотный В. И., Гончаренко В. Р. - М. : Наука и Техника, 1999. - XXVIII, 634 с. - ISBN 5-88977-053-5 .
Зарубежные транзисторы. Диоды. A... Z : справочник / ред. Заболотный В. И., Гончаренко В. Р. - М. : Наука и Техника, 2000. - 552 с. - ISBN 5-93630-009-9 .
Статья
Захаров А. Г., Котов В. Н., Богданов С. А.
Моделирование распределения потенциала в барьерах Шоттки транзистора с металлической базой / Захаров А. Г., Котов В. Н., Богданов С. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 4. -С. 45-47 .
Моделирование распределения потенциала в барьерах Шоттки транзистора с металлической базой / Захаров А. Г., Котов В. Н., Богданов С. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 4. -
Ильченко Г. П.
Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p+ - n- переходом : монография / Ильченко Г. П. ; Кубанский гос. ун-т. - Краснодар : Кубанский гос. ун-т, 2013. - 159 с. : ил. - Библиогр.:с. 152-157 . - ISBN 978-5-8209-0964-1 .
Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p+ - n- переходом : монография / Ильченко Г. П. ; Кубанский гос. ун-т. - Краснодар : Кубанский гос. ун-т, 2013. - 159 с. : ил. - Библиогр.:
Статья
Каштанкин И. А., Гурин Н. Т.
N-транзисторные оптроны / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2006. - № 8. -С. 37-39 .
N-транзисторные оптроны / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2006. - № 8. -
Статья
Каштанкин И. А., Гурин Н. Т.
Температурные характеристики биполярных N-приборов с управляемой вольт-амперной характеристикой / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2006. - № 6. -С. 41-43 .
Температурные характеристики биполярных N-приборов с управляемой вольт-амперной характеристикой / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2006. - № 6. -
Статья
Каштанкин И. А., Гурин Н. Т.
Фоточувствительные полупроводниковые N-приборы с симметричной вольт-амперной характеристикой / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 9. -С. 35-38 .
Фоточувствительные полупроводниковые N-приборы с симметричной вольт-амперной характеристикой / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 9. -
Ковалев А. Н.
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : монография / Ковалев А. Н. ; Министерство образования и науки РФ, Национальный исслед. технол. ун-т "МИСиС". - М. : Издат. Дом МИСиС, 2011. - 363 с. : ил. - Библиогр.:с. 353-363 . - ISBN 978-5-87623-489-6 .
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : монография / Ковалев А. Н. ; Министерство образования и науки РФ, Национальный исслед. технол. ун-т "МИСиС". - М. : Издат. Дом МИСиС, 2011. - 363 с. : ил. - Библиогр.:
Красников Г. Я.
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Красников Г. Я. - 2-е изд., испр. - М. : ТЕХНОСФЕРА, 2011. - 799 с. : ил. - (Мир электроники). - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-94836-289-2 .
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Красников Г. Я. - 2-е изд., испр. - М. : ТЕХНОСФЕРА, 2011. - 799 с. : ил. - (Мир электроники). - Библиогр.