560 записей
Статья
Глушко А. А., Морозов С. А., Чистяков М. Г.
Исследование чувствительной области МОП-транзистора к воздействию вторичных частиц, возникающих вследствие ионизирующего излучения / Глушко А. А., Морозов С. А., Чистяков М. Г. // Микроэлектроника. - 2023. - Т. 52, № 4. -С. 282-289 .
Исследование чувствительной области МОП-транзистора к воздействию вторичных частиц, возникающих вследствие ионизирующего излучения / Глушко А. А., Морозов С. А., Чистяков М. Г. // Микроэлектроника. - 2023. - Т. 52, № 4. -
Статья
Горлачева Е. Н.
Обзор мирового рынка перспективных конструкционных материалов / Горлачева Е. Н. // Машиностроитель. - 2014. - № 6. -С. 20-30 .
Обзор мирового рынка перспективных конструкционных материалов / Горлачева Е. Н. // Машиностроитель. - 2014. - № 6. -
Горлов М. И., Андреев А. В., Воронцов И. В.
Воздействие электростатических зарядов на изделия полупроводниковой электроники и радиоэлектронную аппаратуру : монография / Горлов М. И., Андреев А. В., Воронцов И. В. - Воронеж : Изд-во Воронежского государственного университета, 1997. - 158 с. : ил. - Библиогр.:с. 148-156 . - ISBN 5-7455-0952-X .
Воздействие электростатических зарядов на изделия полупроводниковой электроники и радиоэлектронную аппаратуру : монография / Горлов М. И., Андреев А. В., Воронцов И. В. - Воронеж : Изд-во Воронежского государственного университета, 1997. - 158 с. : ил. - Библиогр.:
Горлов М. И., Ануфриев Л. П., Бордюжа О. Л.
Обеспечение и повышение надёжности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства : монография / Горлов М. И., Ануфриев Л. П., Бордюжа О. Л. ; ред. Горлов М. И. - Минск : Интеграл, 1997. - 389 с. : рис., табл. - Библиогр.в конце частей .
Обеспечение и повышение надёжности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства : монография / Горлов М. И., Ануфриев Л. П., Бордюжа О. Л. ; ред. Горлов М. И. - Минск : Интеграл, 1997. - 389 с. : рис., табл. - Библиогр.
Гриценко В. А.
Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах / Гриценко В. А. ; РАН. СО. Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Литовченко В. Г. - Новосибирск : Наука, 1993. - 277 с. : рис. - Библиогр.:с. 260-277 . - ISBN 5-02-030198-1 .
Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах / Гриценко В. А. ; РАН. СО. Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Литовченко В. Г. - Новосибирск : Наука, 1993. - 277 с. : рис. - Библиогр.:
Статья
Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С.
Прогнозирование качества и надежности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 30. Элементная база транзисторных МШУ в МИС / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 8. -С. 15-18 .
Прогнозирование качества и надежности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 30. Элементная база транзисторных МШУ в МИС / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 8. -
Статья
Гудков А. Г., Кирпиченков А. И, Козлов П. С.
Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 31. Элементная база транзисторных МШУ в МИС. / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И, Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 9. -С. 49-53 .
Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 31. Элементная база транзисторных МШУ в МИС. / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И, Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 9. -
Статья
Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С.
Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 33. Конструктивно-технологические варианты построения МШУ / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 12. -С. 25-32 .
Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 33. Конструктивно-технологические варианты построения МШУ / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 12. -
Статья
Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С.
Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 32. Схемотехнические варианты построения транзисторных МШУ. / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 11. -С. 20-26 .
Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 32. Схемотехнические варианты построения транзисторных МШУ. / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 11. -
