603 записи
Статья в журнале
Драч В. Е.
Анализ сдвига проходных характеристик МДП-транзистора / Драч В. Е. - DOI 10.18698/0236-3933-2017-1-4-15 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2017. - № 1. -С. 4-15 .
Анализ сдвига проходных характеристик МДП-транзистора / Драч В. Е. - DOI 10.18698/0236-3933-2017-1-4-15 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2017. - № 1. -
Статья в журнале
Драч В. Е., Родионов А. В.
Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быстродействующего полевого транзистора / Драч В. Е., Родионов А. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2014. - Т. 19, № 10. -С. 79-84 .
Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быстродействующего полевого транзистора / Драч В. Е., Родионов А. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2014. - Т. 19, № 10. -
Статья в журнале
Драч В. Е., Родионов А. В.
Перспективные технологии производства элементной базы телекоммуникационных устройств / Драч В. Е., Родионов А. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2014. - Т. 19, № 10. -С. 85-92 .
Перспективные технологии производства элементной базы телекоммуникационных устройств / Драч В. Е., Родионов А. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2014. - Т. 19, № 10. -
Статья в журнале
Драч В. Е., Родионов А. В., Чухраев И. В.
Аппаратная реализация метода накачки заряда / Драч В. Е., Родионов А. В., Чухраев И. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2016. - Т. 21, № 7. -С. 72-75 .
Аппаратная реализация метода накачки заряда / Драч В. Е., Родионов А. В., Чухраев И. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2016. - Т. 21, № 7. -
Аналитическое описание
Дробышев Г. Ф.
Исследование одностабильных схем с одним туннельным диодом / Дробышев Г. Ф. // Счетно-решающие приборы : сборник статей / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; ред. Доброгурский С. О. - М., 1964. -С. 58-67 .
Исследование одностабильных схем с одним туннельным диодом / Дробышев Г. Ф. // Счетно-решающие приборы : сборник статей / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; ред. Доброгурский С. О. - М., 1964. -
Аналитическое описание
Дробышев Г. Ф.
Моделирование переходных процессов в системах с туннельным диодом / Дробышев Г. Ф. // Счетно-решающие приборы : сборник статей / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; ред. Доброгурский С. О. - М., 1964. -С. 53-57 .
Моделирование переходных процессов в системах с туннельным диодом / Дробышев Г. Ф. // Счетно-решающие приборы : сборник статей / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; ред. Доброгурский С. О. - М., 1964. -
Статья в журнале
Дьяконов А. В., Шелестов Д. А., Артемьев Б. В.
Быстродействующий мониторинг протяженных объектов с помощью волоконно-оптических сенсорных систем на основе брэгговских решеток / Дьяконов А. В., Шелестов Д. А., Артемьев Б. В. // Контроль. Диагностика. - 2018. - № 3. -С. 40-43 .
Быстродействующий мониторинг протяженных объектов с помощью волоконно-оптических сенсорных систем на основе брэгговских решеток / Дьяконов А. В., Шелестов Д. А., Артемьев Б. В. // Контроль. Диагностика. - 2018. - № 3. -
Дьяконов В. П.
Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение / Дьяконов В. П. - Москва : СОЛОН-Пресс, 2008. - 382 с. : ил. - (Компоненты и технологии). - Библиогр.:с.368-375 . - ISBN 978-5-91359-010-7 .
Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение / Дьяконов В. П. - Москва : СОЛОН-Пресс, 2008. - 382 с. : ил. - (Компоненты и технологии). - Библиогр.:
Дьяконов В. П.
Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение / Дьяконов В. П. - Москва : СОЛОН-Пресс, 2008. - 234 с. - (Компоненты и технологии). - Библиогр.:с.225-227 . - ISBN 978-5-91359-004-6 .
Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение / Дьяконов В. П. - Москва : СОЛОН-Пресс, 2008. - 234 с. - (Компоненты и технологии). - Библиогр.:
