Расширенный поиск

Кроктус А., Добровольскис З.
   Электропроводность узкощелевых полупроводников : моногр. / Кроктус А., Добровольскис З. ; АН ЛитССР, Ин-т физики полупроводников ; ред. Пожела Ю. - Вильнюс : Мокслас, 1988. - 172 с. : ил. - (Электроны в полупроводниках ; вып. 7). - Библиогр.: с.156-167. - ISBN 5-420-00194-2.

Куэй Р.
   Электроника на основе нитрида галлия / Куэй Р. ; пер. с англ. Концевой Ю. А., Митрофанов Е. А. ; ред. пер. Васильев А. Г. - Москва : ТЕХНОСФЕРА, 2011. - 587 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр. в конце гл. - ISBN 978-5-94836-296-0.

Мавлонов Ш.
   Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников : монография / Мавлонов Ш. ; Физико-технический институт им. С. У. Умарова Академии наук Таджикской ССР ; отв. ред. Кариева Р. А. - Душанбе : Дониш, 1990. - 154 с. : ил. - Библиогр.: с.138-154. - ISBN 5-8366-0095-3.

Мадаминов Х. М.
   Влияние инжекционных эффектов на электрические свойства гетеропереходов pSi–nSi1–xSnx / Мадаминов Х. М. - DOI 10.18698/1812-3368-2021-2-71-84 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2021. - № 2. - С. 71-84.

Мадаминов Х. М.
   Влияние рекомбинационных процессов на температурную зависимость вольт-амперных характеристик структур pSi–n(Si2)1 – х(CdS) х / Мадаминов Х. М. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2025. - № 2. - С. 35-51.

Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А.
   Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. - С. 493-503.

Марахтанов М. К., Марахтанов А. М.
   Неожиданные квантовые явления в известных электрических процессах. Опыт и теория / Марахтанов М. К., Марахтанов А. М. - Москва : URSS : КРАСАНД, 2010. - 310 с. : ил. - (Relata Refero). - Библиогр.: c.9-10, в конце гл. - ISBN 978-5-396-00120-6.

Марин В. П., Сидорова А. В.
   Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. - С. 10-19.

   Математическая модель влияния варизонности на профиль концентрации носителей полупроводниковых структур / Байбурин В. Б., Кузнецов В. А., Чернышев С. Л., Шмаков С. Л. // Радиотехника. - 2018. - № 9. - С. 87-92.

   Материаловедение узкощелевых и слоистых полупроводников : сборник научных трудов / АН УССР, Черновицкое отделение, Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича ; отв. ред. Товстюк К. Д. - Киев : Наук. думка, 1989. - 139 с. : граф. - Библиогр. в конце статей. - ISBN 5-12-001005-9.