Подробное описание документа

   Статья

Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А.
   Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. - С. 493-503.

УДК

621.315.592 Полупроводники

Авторы МГТУ

• Макеев Мстислав Олегович
• Мешков Сергей Анатольевич
• Иванов Юрий Александрович

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 493-503

   Журнал

   Нано- и микросистемная техника.
   Т. 18, № 8. - 2016.

подробнее