85 записей
Статья
Особенности взаимодействия скользящих дислокаций с хаотическими ансамблями колеблющихся дислокационных петель / Глебов С. А., Кручинин И. И., Логинова М. Б., Серебряков Ю. А. // Наукоемкие технологии. - 2014. - Т. 15, № 8. - С. 13-18 .
Пасынков В. В., Сорокин В. С.
Материалы электронной техники : учебник для вузов / Пасынков В. В., Сорокин В. С. - 4-е изд., стер. - М. : ДМК Пресс ; СПб. : Лань, 2002. - 366 с. : ил. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Библиогр.:с. 361 . - ISBN 5-9511-0011-9 .
Материалы электронной техники : учебник для вузов / Пасынков В. В., Сорокин В. С. - 4-е изд., стер. - М. : ДМК Пресс ; СПб. : Лань, 2002. - 366 с. : ил. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Библиогр.:
Перевощиков В. А., Скупов В. Д.
Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников : монография / Перевощиков В. А., Скупов В. Д. - Нижний Новгород : Изд-во Нижегородского ун-та, 1992. - 196 с. : рис., табл. - Библиогр.:с. 189-196 . - ISBN 5-230-04179-X .
Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников : монография / Перевощиков В. А., Скупов В. Д. - Нижний Новгород : Изд-во Нижегородского ун-та, 1992. - 196 с. : рис., табл. - Библиогр.:
Автореферат диссертации
Поляков А. Н.
Разработка катодолюминесцентных методов изучения физических свойств прямозонных полупроводниковых материалов : автореф. дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Поляков А. Н. ; Калужский гос. ун-т им. К. Э. Циолковского. - М., 2011. - 16 с.
Разработка катодолюминесцентных методов изучения физических свойств прямозонных полупроводниковых материалов : автореф. дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Поляков А. Н. ; Калужский гос. ун-т им. К. Э. Циолковского. - М., 2011. - 16 с.
Диссертация
Поляков А. Н.
Разработка катодолюминесцентных методов изучения физических свойств прямозонных полупроводниковых материалов : дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Поляков А. Н. ; Калужский гос. ун-т им. К. Э. Циолковского. - Калуга, 2011. - 120 л. : ил. - Библиогр.:л. 105-120 .
Разработка катодолюминесцентных методов изучения физических свойств прямозонных полупроводниковых материалов : дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Поляков А. Н. ; Калужский гос. ун-т им. К. Э. Циолковского. - Калуга, 2011. - 120 л. : ил. - Библиогр.:
Автореферат диссертации
Пономарев С. В.
Особенности термического расширения многокомпонентных халькогенидных соединений со структурой шпинели и халькопирита : автореф. дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Пономарев С. В. ; Калужский гос. пед. ун-т им. К. Э. Циолковского. - М., 2008. - 16 с.
Особенности термического расширения многокомпонентных халькогенидных соединений со структурой шпинели и халькопирита : автореф. дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Пономарев С. В. ; Калужский гос. пед. ун-т им. К. Э. Циолковского. - М., 2008. - 16 с.
Диссертация
Пономарев С. В.
Особенности термического расширения многокомпонентных халькогенидных соединений со структурой шпинели и халькопирита : дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Пономарев С. В. ; Калужский гос. пед. ун-т им. К. Э. Циолковского. - Калуга, 2008. - 151 л. - Библиогр.:л. 119-132 .
Особенности термического расширения многокомпонентных халькогенидных соединений со структурой шпинели и халькопирита : дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Пономарев С. В. ; Калужский гос. пед. ун-т им. К. Э. Циолковского. - Калуга, 2008. - 151 л. - Библиогр.:
Статья
Применение имплантации ионов кислорода и процесса твердофазной рекристаллизации для улучшения кристаллической структуры кремния на сапфире / Александров П. А., Демаков К. Д., Шемардов С. Г., Кузнецов Ю. Ю. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 3. - С. 54-56 .
Отчёт о НИР
Разработка методов субмикронной катодолюминесцентной диагностики прямозонных материалов полупроводниковой оптоэлектроники : отчёт о НИР (заключительный) / МГТУ. Калужский филиал ; рук. нир Степанович М. А. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2002. - 77 л. - Библиогр.: л. 76-77 . - Шифр ОК-ФН3-01Ф . - Инв. № 02.200.204171 .
Разработка технологии синтеза алмазов в мягких условиях и исследование их полупроводниковых свойств : отчет о НИР (заключ.) / МГТУ. Каф. ФН-6-КФ ; рук. темы Федосеев И. В. - М., 1999. - 51 л. - Библиогр.: л. 48-51 .