Подробное описание документа

   Моделирование кинетики вольт-амперных характеристик ALAs –GaAs резонансно-туннельных диодов в результате диффузионных процессов в его структуре / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Литвак Ю. Н., Мешков С. А., Мигаль Д. Э., Назаров В. В. // Наноинженерия. - 2014. - № 1. - С. 24-29.

УДК

621.315.592 Полупроводники

Авторы МГТУ

• Макеев Мстислав Олегович
• Иванов Юрий Александрович
• Литвак Юрий Николаевич
• Мешков Сергей Анатольевич
• Назаров Владимир Васильевич

Статья опубликована в следующих изданиях