Расширенный поиск

   Увеличение стойкости GaN HEMT к возникновению повышенной температуры / Видякин С. И., Вьюгинов В. Н., Тихомиров В. Г., Добров В. А., Шашурин В. Д., Чижиков С. В. // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век. - 2017. - Т. 9, № 2. - С. 19-21.

Черторийский А. А., Сергеев В. А.
   Контроль температурных полей и теплофизических параметров мощных транзисторов дилатометрическим методом / Черторийский А. А., Сергеев В. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 10. - С. 41-46.