Подробное описание документа

   Атомная структура полупроводниковых систем / РАН. СО. Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Асеев А. Л. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2006. - 291 с. : ил. - ISBN 5-7692-0841-4.

Аннотация

Представлены результаты работ Института физики полупроводников СО РАН по исследованию структуры полупроводниковых систем при различных технологических воздействиях. Рассмотрены дислокационная структура полупроводниковых кристаллов и пленок, атомная структура скоплений точечных дефектов в кремнии и германии, процессы структурных перестроек на ступенчатых поверхностях кремния. Полученные данные используются при разработке технологии создания новых материалов и устройств микро-, опто- и наноэлектроники, микро- и наноструктур для исследования квантовых и одноэлектронных эффектов. Заключительный раздел книги посвящен изложению актуальных проблем развития полупроводниковых нанотехно-логий на основе имеющихся достижений в методах молекулярно-лучевой эпитаксии, в создании структур кремний-на-изоляторе и в методах нанолитографии.
Представляет интерес для специалистов по полупроводниковому материаловедению и полупроводниковой электронике — научных сотрудников, работников предприятий отрасли, студентов и аспирантов, обучающихся по соответствующим специальностям, в том числе по специальностям «Наноматериалы» и «Нанотехнологии в электронике».

УДК

537.311.322 в полупроводниковых материалах

Предметные рубрики

• Полупроводники - Структура

Общее кол-во в фондах

1 экз.

1. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
2. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313