59 записей
Анатычук Л. И., Булат Л. П.
Полупроводники в экстремальных температурных условиях / Анатычук Л. И., Булат Л. П. - СПб. : Наука, 2001. - 223 с. - Библиогр.:с. 209-222 . - ISBN 5-02-024960-2 .
Полупроводники в экстремальных температурных условиях / Анатычук Л. И., Булат Л. П. - СПб. : Наука, 2001. - 223 с. - Библиогр.:
Ансельм А. И.
Введение в теорию полупроводников : учеб. пособие для вузов / Ансельм А. И. - 3-е изд., стер. - СПб. : Лань, 2008. - 618 с. : ил. - (Классическая учебная литература по физике) (Учебники для вузов. Специальная литература). -ISBN 978-5-8114-0762-0 .
Введение в теорию полупроводников : учеб. пособие для вузов / Ансельм А. И. - 3-е изд., стер. - СПб. : Лань, 2008. - 618 с. : ил. - (Классическая учебная литература по физике) (Учебники для вузов. Специальная литература). -
Аплеснин С. С.
Магнитные и электрические свойства сильнокоррелированных магнитных полупроводников с четырехспиновым взаимодействием и с орбитальным упорядочением : [монография] / Аплеснин С. С. - М. : Физматлит, 2013. - 171 с. : ил. - Библиогр.:с. 161-171 . - ISBN 978-5-9221-1492-9 .
Магнитные и электрические свойства сильнокоррелированных магнитных полупроводников с четырехспиновым взаимодействием и с орбитальным упорядочением : [монография] / Аплеснин С. С. - М. : Физматлит, 2013. - 171 с. : ил. - Библиогр.:
Атомная структура полупроводниковых систем / РАН. СО. Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Асеев А. Л. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2006. - 291 с. : ил. - ISBN 5-7692-0841-4 .
Автореферат диссертации
Аунг Тура
Исследование влияния анизотропии на подвижность носителей зарядов в алмазоподобных кристаллах : автореф. дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Аунг Тура ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2012. - 15 с.
Исследование влияния анизотропии на подвижность носителей зарядов в алмазоподобных кристаллах : автореф. дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Аунг Тура ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2012. - 15 с.
Диссертация
Аунг Тура
Исследование влияния анизотропии на подвижность носителей зарядов в алмазоподобных кристаллах : дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Аунг Тура ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Калуга, 2012. - 117 л. : ил. - Библиогр.:л. 107-117 .
Исследование влияния анизотропии на подвижность носителей зарядов в алмазоподобных кристаллах : дис... кф-мн : 01. 04. 07 / Аунг Тура ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Калуга, 2012. - 117 л. : ил. - Библиогр.:
Боонстра А.
Поверхностные свойства германия и кремния / Боонстра А. ; пер. с англ. Степанов Г. В. ; ред. пер. Сандомирский В. Б. - М. : Мир, 1970. - 176 с. : ил. - Библиогр.в конце гл.
Поверхностные свойства германия и кремния / Боонстра А. ; пер. с англ. Степанов Г. В. ; ред. пер. Сандомирский В. Б. - М. : Мир, 1970. - 176 с. : ил. - Библиогр.
Борухович А. С., Трошин А. В.
Полупроводник и ферромагнетик монооксид европия в спинтронике : монография / Борухович А. С., Трошин А. В. - СПб. : Лань, 2017. - 285 с. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Библиогр.:с. 267-279 . - ISBN 978-5-8114-2479-5 .
Полупроводник и ферромагнетик монооксид европия в спинтронике : монография / Борухович А. С., Трошин А. В. - СПб. : Лань, 2017. - 285 с. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Библиогр.:
Васильев А. В., Баранов А. И.
Дефектно-примесные реакции в полупроводниках / Васильев А. В., Баранов А. И. ; РАН. СО. Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Овсюк В. Н. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2001. - 255 с. - Библиогр.в конце гл. - ISBN 5-7692-0428-1 .
Дефектно-примесные реакции в полупроводниках / Васильев А. В., Баранов А. И. ; РАН. СО. Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Овсюк В. Н. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2001. - 255 с. - Библиогр.
Викулин И. М., Викулина Л. Ф., Горбачев В. Э.
Магниточувствительные приборы для сенсорных и исполнительных сетей "интернета вещей" : монография / Викулин И. М., Викулина Л. Ф., Горбачев В. Э. - М. : Ru-science, 2023. - 154 с. : рис., табл. - Библиогр.:с. 143-154 . - ISBN 978-5-466-02149-3 .
Магниточувствительные приборы для сенсорных и исполнительных сетей "интернета вещей" : монография / Викулин И. М., Викулина Л. Ф., Горбачев В. Э. - М. : Ru-science, 2023. - 154 с. : рис., табл. - Библиогр.: