Подробное описание документа
Технология материалов микро- и наноэлектроники / Кожитов Л. В., Косушкин В. Г., Крапухин В. В., Пархоменко Ю. Н. ; Моск. гос. ин-т стали и сплавов (Технологический ун-т). - М. : МИСИС, 2007. - 542 с. : ил. - (Металлургия и материаловедение XXI века). - Библиогр.
Рассмотрены теоретические основы и математическое моделирование процесса роста монокристаллов полупроводников из расплава с использованием теории случайных явлений для управления процессом роста бездефектных кристаллов.
Представлены результаты математического моделирования равновесия фаз многокомпонентных систем, макро- и микрокинетики парофазной эпитаксии кремния и соединений А в третьей степени В в пятой степени в хлоридно-гидридном и МОС-гидридном процессах.
Рассмотрены актуальные для микроэлектроники технологии получения скрытых проводящих и диэлектрических слоев в кремнии,предложен механизм их фазообразования.
Показано,что развитие работ в области органических полупроводников, в том числе с фрактальными кластерами и наночастицами различных элементов в полимерах, позволяет получать материалы с особыми свойствами.
С использованием современных основ материаловедения рассмотрены пути сохранения и улучшения эксплуатационных свойств монокристаллического кремния путем его термообработки и легирования.
Проведен анализ результатов обработки большой группы материалов и слоев многоуровневых СБИС,на которых методом химико-механической полировки достигнута наноразмерная шероховатость поверхности без дефектов монокристаллической структуры.
Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области получения и исследования материалов микро- и наноэлектроники, для всех работающих в области разработки новых материалов, оптимизации технологических процессов, а также студентов и аспирантов.
3 экз.
- Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
- Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
- Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
- Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313