Подробное описание документа
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем : учеб. пособие для вузов : в 2 ч. / Королев М. А., Крупкина Т. Ю., Путря М. Г., Шевяков В. И. ; общ. ред. Чаплыгин Ю. А. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. -
Ч. 2 : Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования. - 2009. - 422 с. : ил. - (Электроника). - Библиогр.:
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.
Для студентов и аспирантов,специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами,работающими в данной области.
621.3.049.77 Микроэлектроника. Интегральные схемы20 экз.![]()
- Абонемент старших курсов, ГУК, ауд. 213
- Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
- Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
- Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
- Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313
- Читальный зал ауд.345, ГУК, ауд. 345
Похожие издания
Ч. 2 : Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования. - 2011. - 422 с. : ил. - (Электроника). - Библиогр.: