Подробное описание документа
Журнал
Наноинженерия.
№ 1. - 2014.
1 экз.
Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов
- Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
- Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313
Содержание
с. 24-29
Статья
Моделирование кинетики вольт-амперных характеристик ALAs –GaAs резонансно-туннельных диодов в результате диффузионных процессов в его структуре / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Литвак Ю. Н., Мешков С. А., Мигаль Д. Э., Назаров В. В.