Моделирование кинетики вольт-амперных характеристик ALAs –GaAs резонансно-туннельных диодов в результате диффузионных процессов в его структуре / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Литвак Ю. Н., Мешков С. А., Мигаль Д. Э., Назаров В. В.
Используя сайт Библиотеки МГТУ им. Н. Э. Баумана,
Вы соглашаетесь с использованием технических файлов (cookie) и сервисов сбора и анализа статистики посещений
для обеспечения работоспособности сайта и улучшения качества обслуживания.
Подробнее о технических файлах (cookie).