Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Журнал

   Наноинженерия.
   № 1. - 2014.

1 экз.
Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов
  1. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
  2. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313

Содержание

с. 24-29
   Статья
   Моделирование кинетики вольт-амперных характеристик ALAs –GaAs резонансно-туннельных диодов в результате диффузионных процессов в его структуре / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Литвак Ю. Н., Мешков С. А., Мигаль Д. Э., Назаров В. В.