Подробное описание документа

Журнал

Физика и техника полупроводников. - ISSN 0015-3222.
Т. 49, № 7. - 2015.

Читать онлайн

Скачать оглавление

Общее кол-во в фондах
1 экз.

Заказать в читальный зал

Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов

Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313

Содержание

с. 932-935

Статья

Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si / Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Бугаев А. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Мальцев П. П.

подробнее