Подробное описание документа
Журнал
Письма в "Журнал технической физики". -
Т. 42, № 13. - 2016.
1 экз.
Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов
- Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
- Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313
Содержание
с. 80-86
Статья
Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала / Емцев В. В., Заварин Е. Е., Оганесян Г. А., Петров В. Н., Сахаров А. В., Шмидт Н. М., Вьгинов В. Н., Зыбин А. А., Парнес Я. М., Видякин С. И., Гудков А. Г., Черняков А. Е.