Подробное описание документа
Статья
Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала / Емцев В. В., Заварин Е. Е., Оганесян Г. А., Петров В. Н., Сахаров А. В., Шмидт Н. М., Вьгинов В. Н., Зыбин А. А., Парнес Я. М., Видякин С. И., Гудков А. Г., Черняков А. Е. // Письма в "Журнал технической физики". - 2016. - Т. 42, № 13. -
Статья опубликована в следующих изданиях
с. 80-86
Журнал
Письма в "Журнал технической физики". - ISSN 0320-0116 .
Т. 42, № 13. - 2016.
Т. 42, № 13. - 2016.